آغاز تولید آزمایشی پردازنده نسل دوم N + 1 توسط SMIC در مقیاس کوچک

اخیراً در یک بستر تعاملی، شرکت بین المللی تولید کننده نیمه هادی شانگهای (SMIC) اشاره کرد که تولید آزمایشی مقیاس کوچک فرآیند نسل دوم N + 1 FinFET خود را آغاز کرده است. این در پاسخ به سوال یک سرمایه گذار در مورد پیشرفت شرکت در تحقیق و توسعه و تولید محصولات 7 نانومتری فاش شد. SMIC برای اولین بار اعلام کرد که در سال 2019 به تولید انبوه پیشرفته ترین فرآیند 14 نانومتری در چین دست یافته است. این فرآیند نسل اول شرکت FinFET است و تولید انبوه آن را در سه ماهه چهارم سال 2019 آغاز کرد. این شرکت فرآیند تولید چیپست Hisilicon Kirin 710A که ابتدا در Honor Play 4T و سپس در چند محصول دیگر هواوی بود، مورد استفاده قرار گرفت.

در سپتامبر سال جاری، هنگامی که سرمایه گذاران برای تأیید اخبار داخلی در مورد تولید انبوه تراشه‌های نسل بعدی این شرکت سوال کردند، SMIC پاسخ داد که نسل دوم فرآیند N + 1  با تکنولوژی نیمه‌هادی FinFET این کمپانی در اصل وارد مرحله معرفی به مشتری شده است. این شرکت همچنین اشاره کرد که انتظار میءرود تولیدات مقیاس کوچک (تولید آزمایشی) این پردازنده را تا پایان سال 2020 آغاز کند. بعداً در ماه اکتبر، شرکت چینی INNOSILICON، تولید کننده طرح‌های مفهومی یک‌پارچه و تراشه‌های سفارشی اعلام کرد که اولین روند برش تراشه و آزمایش تراشه در جهان را بر اساس فرآیند پیشرفته FinFET N + 1  در SMIC به پایان رسانده است. این طرح به صورت تماما یک پارچه در داخل ساخته میشوند.

در مورد پردازنده نسل دوم N + 1 ، لیانگ منگسونگ، مدیر عامل SMIC در اوایل سال جاری اعلام کرد که این پردازنده از نظر قدرت و ثبات بسیار شبیه به پردازنده‌های 7 نانومتری است و به لیتوگرافی EUV نیازی ندارد. پایه‌های پردازنده نسل دوم N + 1 هشت نانومتری است و این شرکت در تلاش برای تبدیل آن‌ها به پایه‌های 7 نانومتری است. در مقایسه با فرایند 14 نانومتری، پردازنده N + 1 کمپانی SMIC دارای 20 درصد افزایش عملکرد و 57 درصد کاهش مصرف برق است، در حالی که عملکرد معیار بازار 7 نانومتری در حال حاضر 35 درصد می‌باشد.