هواوی با وجود تحریم‌های آمریکا، تلاش‌های خود را برای تولید تراشه‌های پیشرفته افزایش داده و به‌طور جدی در حال توسعه دو تراشه 3 نانومتری است. بر اساس گزارش‌ها، این شرکت چینی رویکردی دوگانه اتخاذ کرده است که شامل طراحی بر اساس فناوری Gate-All-Around (GAA) FET و نیمه‌رسانای مبتنی بر نانولوله‌های کربنی می‌شود. پیش‌بینی می‌شود که نمونه اولیه این تراشه‌ها تا سال 2026 آماده شود.
بر اساس گزارش رسانه‌های تایوانی، هواوی در ادامه موفقیت خود با تراشه Kirin X90 که بدون دستگاه‌های EUV شرکت ASML تولید شد، به توسعه تراشه‌های 3 نانومتری روی آورده است. این تراشه‌های جدید از DUV lithography با چند الگوی پیچیده استفاده می‌کنند، روشی که هزینه بالا و بازدهی کمتری نسبت به فناوری‌های پیشرفته دارد.
انتظار می‌رود تراشه GAA FET با بهره‌وری انرژی و عملکرد بهتری نسبت به نسل‌های قبلی Kirin ارائه شود. هواوی همچنین در حال آزمایش فناوری نانولوله‌های کربنی برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری است که ممکن است عملکرد بهتری نسبت به سیلیکون داشته باشند، اگرچه جزئیات این پیشرفت همچنان نامشخص است.
با وجود تلاش‌های گسترده، چالش‌های مهمی از جمله کاهش بازده تولید در سطح 3 نانومتری و وابستگی به فناوری DUV همچنان پابرجاست. هواوی سرمایه‌گذاری 37 میلیارد دلاری در توسعه داخلی فناوری EUV انجام داده و برخی منابع داخلی معتقدند این تکنولوژی تا سال 2026 آماده بهره‌برداری خواهد بود.
در صورتی که هواوی بتواند این فناوری را با موفقیت توسعه دهد، این شرکت می‌تواند فاصله خود با TSMC و Samsung را که هم‌اکنون از EUV برای تولید تراشه‌های 3 نانومتری استفاده می‌کنند، کاهش دهد. با این حال، موانع مربوط به نرخ تولید و محدودیت‌های فناوری DUV همچنان چالش‌هایی جدی محسوب می‌شوند.
ارسال دیدگاه