سامسونگ، امروز به صورت رسمی نسل ششم از تراشه‌های 3D V-NAND خود را معرفی کرد. این تراشه‌ها چیزی فراتر از تراشه‌های 96 لایه، با 136 لایه طراحی شده‌اند. این شرکت از فناوری تراشه‌های 136 لایه خود در راستای تولید SSD و حافظه‌های eUFS استفاده خواهد کرد.
تراشه های 3 بیتی با ظرفیت 256 گیگابیت برای هر بسته، که با مصرف کمتر جریان و کاهش ابعاد تراشه ها، از سرعت به مراتب بالاتری برخوردار هستند. اولین مدل‌ها با ظرفیت 250 گیگابایت تولید شده و به نظر می‌رسد که شامل مدل‌های 2.5 اینچی هستند که در انواع لپ تاپ و کامپیوترها مورد استفاده قرار خواهند گرفت.
سامسونگ در نظر دارد تا اولین مدل های نسل ششم با 136 لایه را در حافظه های SSD SATA III مورد استفاده قرار داده و همزمان حافظه های جدید eUFS را با این تکنولوژی وارد بازار کند. البته این بار هم به مانند گذشته این فناوری نه فقط در محصولات سامسونگ، بلکه به دیگر شرکت های سازنده SSD نیز مورد استفاده قرار خواهد گرفت که حافظه های خود را از سامسونگ خریداری می کنند.
نسل ششم تراشه‌های Samsung V-NAND دارای سریع‌ترین نرخ انتقال داده در بین تراشه‌های مشابه در جهان است. تنها در یک پشته (Die) سه بعدی، بیش از 100 لایه بر روی یکدگیر قرار گرفته‌اند. تراشه‌های جدید با استفاده از تکنولوژی Channel Hole Etching تا 40 درصد سلول‌های بیشتری را به هر استک اضافه خواهند کرد. سامسونگ اعلام کرده است که تراشه‌های 136 لایه V-NAND را به صورت اختصاصی در محصولات خود استفاده کرده و یا آنها را به سازندگان SSD عرضه می‌کند.