SK hynix از حافظه 321 لایه ای UFS 4.1 رونمایی کرد: سریع‌تر، باریک‌تر و بهینه‌تر از همیشه
شرکت SK hynix به‌تازگی از تولید انبوه اولین حافظه فلش NAND با 321 لایه در جهان خبر داده است. این حافظه از نوع Triple-Level Cell (TLC) بوده و با ظرفیت 1 ترابیت طراحی شده است. عرضه رسمی آن از نیمه اول سال 2025 آغاز خواهد شد. این نوآوری، گامی بزرگ در مسیر بهبود عملکرد و بهره‌وری در زمینه ذخیره‌سازی داده به‌ویژه برای کاربردهای هوش مصنوعی به شمار می‌رود.
نسخه جدید حافظه نسبت به نسل قبلی با 238 لایه، سرعت انتقال داده 12 درصد بیشتر، عملکرد خواندن 13 درصد بالاتر و بهره‌وری انرژی بیش از 10 درصد بهتر ارائه می‌دهد. یکی از دستاوردهای کلیدی در این پروژه، استفاده از فناوری جدیدی به نام “Three Plugs” است که امکان اتصال الکتریکی لایه‌ها را با دقت و پایداری بالا فراهم کرده و انباشتن بیش از 300 لایه را ممکن ساخته است.
نکته جالب اینکه با وجود پیچیدگی فناوری، SK hynix توانسته است از همان پلتفرم توسعه نسل قبلی استفاده کند. همین موضوع منجر به افزایش 59 درصدی بهره‌وری تولید نسبت به نسل گذشته شده است، که برای صنایع پرتقاضا مانند مراکز داده و سیستم‌های هوش مصنوعی اهمیت بسزایی دارد.
این حافظه پیشرفته قرار است در آینده نزدیک در دستگاه‌های مجهز به فناوری هوش مصنوعی، از جمله سرورها و تجهیزات پیشرفته پردازشی، مورد استفاده قرار گیرد. SK hynix اعلام کرده که این پروژه بخشی از هدف بزرگ‌تر آن برای تبدیل شدن به “تأمین‌کننده جامع حافظه برای کاربردهای هوش مصنوعی” است.
در مقایسه با رقبا، حافظه 321 لایه SK hynix در حال حاضر بالاترین میزان لایه را در صنعت دارد. در حالی که سامسونگ روی حافظه‌های با 280 لایه و Micron روی 232 لایه کار می‌کنند، SK hynix با این دستاورد، فاصله‌اش را با رقبا افزایش داده است.
