سامسونگ از نسل سوم حافظه‌های رم 16 گیگابایتی HBM2E رونمایی کرد

سامسونگ به تازگی از نسل سوم حافظه های رم 16 گیگابایتی مبتنی بر HBM2E موسوم به فلش بولت رونمایی کرده است. استفاده از رم‌های HBM باعث ارتقای عملکرد حافظه رایانه‌ها شده و به شرکت‌های سازنده رایانه کمک می‌کند تا ابررایانه‌های قدرتمندتری بسازند.

افزایش سرعت تحلیل داده‌ها در برنامه‌های هوش مصنوعی و بهتر کردن سرعت برنامه‌های گرافیکی و تدوین ویدئو از جمله مزایای استفاده از رم‌های مذکور است. ظرفیت رم های فلش بولت در مقایسه با نسل های قبلی Aquabolt دو برابر شده و از ماژول های 8 گیگابایت به 16 گیگابایت رسیده است. همچنین سرعت انتقال پایدار این حافظه ها 3.2 گیگابایت بر ثانیه بوده، درحالیکه پهنای باند حافظه ای برابر با 410 گیگابایت بر ثانیه در هر پشته دارد.

البته در محیط‌های آزمایشگاهی سرعت انتقال داده با استفاده از این رم به 4.2 گیگابیت در ثانیه نیز رسیده است. اما هنوز در عمل چنین حافظه های رم وارد بازار نشده است. در رم‌های یادشده از ۸ لایه DRAM با فرآیند ساخت 10 نانومتری برای افزایش سرعت استفاده شده است و از همین رو عملکرد حافظه مذکور در مقایسه با بهترین رم‌های موجود در بازار 1.3 برابر بهتر است. قرار است تولید انبوه فلش بلت برای عرضه در بازار از نیمه اول سال جاری میلادی آغاز شود. قیمت این محصول هنوز مشخص نشده است.