سامسونگ امروز از آغاز تولید حافظه های رم 16 گیگابایتی LPDDR5 برای گوشی های هوشمند خبر داد. تراشه های DRAM در آینده با استفاده از پردازش نسل سوم این شرکت در کلاس 10 نانومتری و فناوری فرابنفش (EUV) با دقت بالا ساخته می شوند.
به گفته شرکت، حافظه رم های جدید 10 نانومتری 16 گیگابایتی LPDDR5 حدود 16 سریعتری از رم های 12 گیگابایتی LPDDR5 یک سال گذشته است. این حافظه رم سرعت 6400 مگابیت بر ثانیه ارائه داده و به این ترتیب در پکیچ 16 گیگابایتی، این حافظه LPDDR5 قادر است حجمی معادل 10 فیلم 5 گیگابایتی فول اچ‌دی یا 51.2 گیگابایت اطلاعات را تنها در یک ثانیه جابجا کند.
تراشه های جدید 1z مبتنی بر LPDDR5 همچنین 30 درصد نازیک تر از LPDDR5 سال گذشته هستند، و ویژگی های 5G و دوربین چندگانه را در گوشی های هوشمند و تبلت های تاشو با طراحی باریک تر امکان پذیر می کند. اگر چندان با این اصطلاحات آشنایی ندارید باید بگوییم حافظه‌های رم پرچمداران آینده از جمله گلکسی اس 21 سامسونگ قرار است سریع‌تر باشند و همچنین امکان باریک‌تر شدن گوشی و یا افزایش دوام شارژ آن نیز وجود خواهد داشت.