Western Digital و Kioxia – که قبلاً با نام Solutions Memory Toshiba شناخته می شدند – در رویداد ISSCC امسال به طور مشترک از نسل ششم فناوری حافظه فلش سه بعدی خود موسوم به BiCS 6 خبر داده اند. همانطور که احتمالاً انتظار دارید، این بالاترین تراکم دو شرکت بوده است، اما در عملکرد نیز پیشرفت هایی وجود دارد.
نسل جدید با بهبودی در مقیاس عمودی و جانبی، 162 لایه عمودی حافظه انباشته را به ارمغان می آورد، در حالی که در نسل قبلی 112 لایه وجود دارد. علاوه بر این، تراکم آرایه سلول جانبی 10 درصد افزایش یافته، و این دو بهبود در مقایسه با فناوری قبلی به 40 درصد تلف شدن کمتر می رسد. علاوه بر بهبود تراکم، این دو شرکت همچنین از Circuit Under Array CMOS و عملکرد چهار صفحه ای استفاده کرده اند که نتیجه آن عملکرد بهتر است. شما می توانید “تقریباً 2.4 برابر” عملکرد بهتر برنامه و کاهش 10 درصدی تأخیر در خواندن و همچنین پیشرفت قابل توجه 66 درصدی در عملکرد کلی ورودی/خروجی انتظار داشته باشید.
در سمت ساخت، این فناوری جدید امکان افزایش 70 درصدی تعداد بیت های تولید شده در ویفر را فراهم می کند و همچنین هزینه هر بیت را کاهش می دهد. آنچه اطلاعیه مشخص نکرده این است که چه زمانی این فناوری در محصولات نشان داده می شود.