در فوریه امسال، سامسونگ ارسال حافظه HBM4 خود به مشتریان را آغاز کرد و وعده داد که نمونههایی از نسخه بهبود یافته HBM4E را بعداً در سال جاری ارسال کند. همانطور که عنوان میگوید، نوع جدید با همان طراحی 12 لایه، ظرفیت بیشتری دارد، پهنای باند بالاتری ارائه میدهد و خنکتر کار میکند. طراحی HBM4E سامسونگ در حال حاضر دارای پیکربندی 12 لایه است که به ظرفیت 48 گیگابایت منجر میشود.
این مقدار نسبت به 36 گیگابایت در HBM4 افزایش یافته است. سامسونگ همچنین در حال توسعه انواع 32 گیگابایتی (8 لایه) و 64 گیگابایتی (16 لایه) است تا گزینههای بیشتری به مشتریان خود در هنگام ساخت طرحهایشان بدهد. علاوه بر افزایش 33 درصدی ظرفیت، HBM4E حدود 20 درصد سریعتر است؛ سرعت در هر پین (per-pin speed) اکنون 14 گیگابیت بر ثانیه است که در مجموع 3.6 ترابایت بر ثانیه در هر پشته (per stack) میباشد.
برای مقایسه، HBM4 دارای سرعت 11.7 گیگابیت بر ثانیه در هر پین و 3.0 ترابایت بر ثانیه در هر پشته است. فناوری HBM4E ترکیبی از نسل ششم 1c (کلاس 10 نانومتری) برای قالبهای حافظه و یک قالب پایه منطقی 4 نانومتری است. سامسونگ طراحی را مجدداً کار کرد تا بازده انرژی را 16 درصد بهبود بخشد، این بدان معناست که حافظه توان کمتری مصرف میکند و گرمای کمتری تولید میکند.
اما حتی بهتر از این هم هست؛ طراحی جدید مقاومت حرارتی (thermal resistance) را حداقل 14 درصد کاهش میدهد، بنابراین خنک کردن حافظه نیز آسانتر است. سامسونگ میگوید که ظرفیت آن برای تولید حافظه HBM4 در حال رشد است و HBM4E جدید سیستمهای هوش مصنوعی را حتی بیشتر تسریع خواهد کرد. طراحی همچنین جای پیشرفت دارد – پهنای باند 14 گیگابیت بر ثانیه میتواند در آینده به 16 گیگابیت بر ثانیه افزایش یابد.
