شرکت SK Hynix دومین تراشه ساز بزرگ حافظه بعد از سامسونگ، نخستین حافظه DDR5 DRAM در جهان (حافظه دسترسی تصادفی پویا با سرعت دو برابر) را معرفی کرد. حدود دو سال پیش، این شرکت اعلام کرده بود که در حال تولید اولین حافظه رم 16 گیگابایتی DRAM DDR5 است و امروز این شرکت هدف خود را تحویل داد.
تراشه های جدید DDR5 DRAM دارای 1.8 برابر سریعتر عملکرد حافظه نسل قبلی DDR4 هستند. این شرکت کره جنوبی می گوید که آزمایشات مختلفی را به پایان رسانده و حتی نمونه های خود را برای تأیید در اختیار شرکت های همکار قرار داده است. یکی از این شرکا شامل اینتل است. DDR5 نسل بعدی استاندارد DRAM است که دارای کاربرد گسترده ای از داده های بزرگ، هوش مصنوعی، فناوری های یادگیری ماشین و موارد دیگر خواهد بود.
طبق گفته شرکت، حافظه های DDR5 DRAM جدید از نرخ انتقال بین 4800 تا 5600 مگابیت بر ثانیه پشتیبانی می کنند که 1.8 برابر سریعتر از 3200 مگابیت در ثانیه ارائه شده توسط DDR4 است. قابل ذکر است که سریعترین سرعت انتقال 5600 مگابیت بر ثانیه به کاربران اجازه می دهد تا حدود 9 فیلم FHD را با اندازه 5 گیگابایت در هر ثانیه انتقال دهند. با وجود سرعت انتقال بالاتر، تراشه های DRAM جدید با کاهش ولتاژهای عملیاتی از 1.2 ولت به 1.1 ولت، از نظر مصرف انرژی بیشتر هستند و 20 درصد مصرف برق کمتری دارند.
تراشه های جدید DDR5 همچنین دارای کد تصحیح خطا (ECC) هستند که قادر است خطاهای سطح یک بیتی سلول DRAM را به خودی خود اصلاح کند. علاوه بر این، فناوری جدید قابلیت اطمینان سیستم کاربردی DDR5 را 20 برابر افزایش داده و باعث کاهش مصرف برق و هزینه های عملیاتی مراکز داده شده است.
