TSMC جزئیاتی از لیتوگرافی 2 نانومتری و 3 نانومتری را منتشر کرد

TSMC جدول زمانی توسعه تراشه خود را در سمپوزیوم فناوری TSMC در سال 2022 شرح داده است. این سازنده تراشه‌های مستقر در تایوان، تراشه‌های 3 نانومتری را در نیمه دوم سال جاری معرفی می‌کند و فناوری 2 نانومتری را در سال 2025 به صحنه جهانی می‌آورد.

لیتوگرافی 3 نانومتری در 5 طبقه عرضه می شود که هر کدام قدرتمندتر، ترانزیستور تراکم تر و کارآمدتر هستند شامل N3 و N3E (افزایش یافته)، N3P (بهبود عملکرد)، N3S (تراکم افزایش یافته) و N3X (عملکرد فوق العاده بالا) می شود.

در مورد لیتوگرافی 2 نانومتری، عملکرد را 10 تا 15 درصد در همان توان مصرفی افزایش داده و 25 تا 30 درصد مصرف کمتری را در همان فرکانس و تعداد ترانزیستور در مقایسه با گره N3E به ارمغان می آورد. TSMC فناوری GAAFET (ترانزیستورهای اثر میدانی همه جانبه) را معرفی کرد. ترانزیستورهای نانوصفحه جدید با کاهش مقاومت، عملکرد در هر وات را افزایش خواهند داد.

در همین حال، Samsung Foundry نیز تولید انبوه تراشه های 3 نانومتری را در سال 2022 آغاز خواهد کرد، اما قصد دارد تولید تراشه های 2 نانومتری را در سال 2025 نیز آغاز کند.